Hafnium dioxide effect on the electrical properties of M/n-GaN structureSadoun Ali، Sedik Mansouri، M. Chellali، Nacereddine Lakhdar، Abdelkader Hima، Z. BenamaraMaterials Science-Polandالمجلّد 38، (1)، الصفحات 165-1732020مقال وصول مفتوح 3
Enhancement of efficiency and stability of CH3NH3GeI3 solar cells with CuSbS2Abdelkader Hima، Nacereddine LakhdarOptical Materialsالمجلّد 99، الصفحات 1096072019مقال وصول مغلق 132
Electron transport material effect on performance of perovskite solar cells based on CH3NH3GeI3Nacereddine Lakhdar، Abdelkader HimaOptical Materialsالمجلّد 99، الصفحات 1095172019مقال وصول مغلق 377
Investigation, analysis and comparison of current-voltage characteristics for Au/Ni/GaN Schottky structure using I-V-T simulationAli Sadoun، S. Mansouri، M. Chellali، Nacereddine Lakhdar، Abdelkader Hima، Z. BenamaraMaterials Science-Polandالمجلّد 37، (3)، الصفحات 496-5022019مقال وصول مفتوح 8
An optimized perovskite solar cell designs for high conversion efficiencyAbdelkader Hima، Nacereddine Lakhdar، Boubaker Benhaoua، Achour Saadoune، Imad Kemerchou، Fatiha RogtiSuperlattices and Microstructuresالمجلّد 129، الصفحات 240-2462019مقال وصول مغلق 199
Modeling of birefringence properties in SiOxNy film rib optical waveguidesMohammed Boulesbaa، Ahmed Bouchekhlal، Fouad Chebbara، Brahim Lakehal، Nacereddine Lakhdarالمجلّد 6، الصفحات 1-42018أخرى وصول مغلق 4
Optimization of ZnTe:O solar cell using genetic algorithmsBrahim Lakehal، Nacereddine Lakhdar، Fouad Chebbara، Mohammed Boulesbaa، Abdelghani Dendouga، Toufik Bendibالصفحات 1-42018أخرى وصول مغلقعدّة مصادر 1
MDAC Design for an 8-bit 40 MS/s Pipelined ADC in a 0.18μm CMOS ProcessAbdelghani Dendouga، Slimane Oussalah، Nacereddine Lakhdar، Brahim Lakehalالمجلّد 20، الصفحات 1-32018أخرى وصول مغلقعدّة مصادر
Performance enhancement of ZnTeO solar cell by optimizing physical and geometrical parametersBrahim Lakehal، Zohir Dibi، Nacereddine Lakhdarالمجلّد 95، الصفحات 1-42017أخرى وصول مغلقعدّة مصادر 2
Modeling of submicron triple material GaAs MESFET including the effect of third region length for microwave frequency applicationsNacereddine Lakhdar، Brahim Lakehalالصفحات 1-52017أخرى وصول مغلقعدّة مصادر 1
An analytical model for submicron dual material gate GaNMESFET including the temperature effectsNacereddine Lakhdar، Brahim Lakehalالمجلّد 78، الصفحات 1-52017أخرى وصول مغلق
Effect of gate engineering in submicron GaAs MESFET for microwave frequency applicationsNacereddine Lakhdar، Brahim LakehalJournal of Semiconductorsالمجلّد 37، (4)، الصفحات 0440022016مقال وصول مغلق 4
Electrical equivalent model of intermediate band solar cell using PSpiceBrahim Lakehal، Zohir Dibi، Nacereddine Lakhdar، Abdelghani DendougaSadhanaالمجلّد 40، (5)، الصفحات 1473-14792015مقال وصول مغلق 4
A new two-dimensional analytical subthreshold behavior model for submicron Triple Material Gate (TM) GaN MESFETNacereddine Lakhdar، F. DjeffalJournal of Computational Electronicsالمجلّد 13، (3)، الصفحات 726-7312014مقال وصول مغلق 1