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Effet du coefficient de réflexion et de la profonde de jonction sur les caractéristiques électriques d’une photopile au silicium monocristallin.
Détails
| Langue originale | Français |
|---|---|
| Revue | مجلة البحوث والدراسات |
| Volume | 4 |
| Numéro | 2 |
| Pages | 11-23 |
| ISSN | 1112-4938 · 2600-6456 |
| Statut de publication | Publié — 1 juillet 2007 |
Mots-clés
Empreinte
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- Photovoltaic System Optimization Techniques
- solar cells
- monocrystalline silicon
- reflection coefficient
- junction depth
- electrical properties
- Electrical and Electronic Engineering
- Atomic and Molecular Physics, and Optics
- Renewable Energy, Sustainability and the Environment
- Engineering
- Physics and Astronomy
- Energy