مقال
Effet du coefficient de réflexion et de la profonde de jonction sur les caractéristiques électriques d’une photopile au silicium monocristallin.
التفاصيل
| اللغة الأصلية | Français |
|---|---|
| المجلّة | مجلة البحوث والدراسات |
| المجلّد | 4 |
| العدد | 2 |
| الصفحات | 11-23 |
| ISSN | 1112-4938 · 2600-6456 |
| حالة النشر | منشور — 1 جويلية 2007 |
الكلمات المفتاحية
البصمة
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- Photovoltaic System Optimization Techniques
- solar cells
- monocrystalline silicon
- reflection coefficient
- junction depth
- electrical properties
- Electrical and Electronic Engineering
- Atomic and Molecular Physics, and Optics
- Renewable Energy, Sustainability and the Environment
- Engineering
- Physics and Astronomy
- Energy